1 De acuerdo a su conductividad eléctrica tenemos:Semiconductores De acuerdo a su conductividad eléctrica tenemos: Conductores (metales): Al, Ag, Fe, Cu, Au Aislantes (no-metales): H, N, O, C, P, Cl Metaloides :Si, Ge, As, Sb, B, Te, Po 11/04/2017

2 A cero grados Kelvin se comportan como aislantes.Semiconductores Los metaloides tienen propiedades intermedias entre los metales y los no-metales. En particular, su conductividad los identifica mejor como SEMICONDUCTORES. A cero grados Kelvin se comportan como aislantes. 11/04/2017

3 Semiconductores Conductividad conductores semiconductores aisladoresplata Conductividad cobre aluminio conductores grafito germanio semiconductores silicio Agua destilada baquelita aisladores mica cuarzo 11/04/2017

4 Semiconductores El proceso de conducción eléctrica en metales se debe a los electrones “libres” que existen en la órbita más externa (mayor energía) de los átomos y que no están fuertemente ligados al núcleo. El resto de los electrones en las órbitas interiores se encuentran más fuertemente ligados al núcleo y no se pueden desplazar. 11/04/2017

5 Semiconductores Configuración electrónica del átomo de cobre CU11/04/2017

6 Semiconductores - IntroducciónExisten dos mecanismos asociados al transporte de partículas cargadas en un sólido Corriente de difusión Corriente de desplazamiento 11/04/2017

7 Semiconductores - IntroducciónCorriente de desplazamiento Movimiento aleatorio sin un campo eléctrico aplicado Movimiento aleatorio con un campo eléctrico aplicado 11/04/2017

8 Semiconductores - IntroducciónCorriente de difusión Si existe una elevada concentración de partículas en una región comparada con otra, existirá un desplazamiento neto de partículas que ecualizara la concentración luego de un periodo de tiempo Concentración inicial Concentración final 11/04/2017

9 Teoría de bandas de energíaAtomo aislado de hidrogeno Modelo de Bohr: la energia de los electrones en sistemas atomicos esta restringida a un limitado set de valores. Cada nivel de energia corresponde a una orbita del electron alrededor del nucleo El desplazamiento de un electron de un nivel discreto de energia hacia otro de mayor nivel requiere una cantidad de energia extra. Un electron desplazandose hacia un nivel de energia inferior, libera una cantidad discreta de energia 11/04/2017

10 Teoría de bandas de energíaUn solido esta formado por diversos atomos cuyos niveles de energia interactuan entre si, resultando en un acoplamiento de los niveles discretos de energia formando bandas de niveles de energia permtidos 11/04/2017

11 Teoría de bandas de energíaDiagrama de bandas de energia Banda de valencia: los electrones no son moviles, no contribuyendo a la conduccion de corriente electrica. Banda de conduccion: es la banda ubicada sobre la banda de valencia. Se encuentra parcialmente llena. Excitando con una pequena cantidad de energia, se puede iniciar el desplazamiento de los electrones -> corriente electrica. Banda prohibida: esta ubicada entre la banda de conduccion y la banda de valencia. Son niveles continuos de energia que no pueden ser ocupados por portadores de carga. 11/04/2017

12 Teoría de bandas de energíaClasificación de los materiales Existen electrones en la banda de conducción a temperatura ambiente. semiconductor conductor aislador Las bandas de conducción y de valencia se solapan. Existe un gran número de electrones en la banda de conducción a temperatura ambiente. Banda de conducción vacía Banda de valencia llena Gran cantidad de energía es requerida para desplazar un electrón de la banda de valencia a la de conducción 11/04/2017

13 Cristales intrínsecos: Cristales extrínsecos:Semiconductores Cristales: Idealmente son materiales que se construyen mediante la repetición infinita regular en el espacio de estructuras unitarias idénticas. Es decir, sus átomos están dispuestos de una manera periódica, llamada rejilla a cuyo volumen se le da el nombre de celda básica. Los más utilizados para construcción de diodos, son el Germanio y el Silicio. Según su grado de pureza, pueden ser de dos tipos cristales Cristales intrínsecos: Llamados también cristales puros. Cristales extrínsecos: Llamados también cristales impurificados, o dopados.

14 Veamos cómo se estructura un cristal de Silicio.....La celda fundamental de un cristal de Silicio consiste de 5 átomos distribuídos en un espacio geométrico de la siguiente manera: Uno central...... Alrededor del cual se encuentran otros 4 átomos iguales,compartiendo electrones entre sí, lo que se conoce como enlaces covalentes...... El cristal de Silicio

15 Veamos cómo se estructura un cristal de Silicio.....Un átomo de Si al centro de la celda base...... Y 4 átomos iguales alrededor de éste ligados a él compartiendo electrones entre sí. Los electrones periféricos de cada átomo de Si que participan en los enlaces covalentes. Permitiendo que el átomo del centro quede con 8 electrones en su última órbita. Enlaces covalentes

16 Veamos cómo se estructura un cristal de Silicio.....Estas causas naturales incluyen efectos como la energía luminosa en forma de fotones y la energía térmica del medio que lo rodea. A temperatura ambiente existen aproximadamente 1.5 x portadores libres en un centímetro cúbico de material de Silicio puro. Enlaces covalentes

17 Celda fundamental del cristal de SilicioEntonces, la celda fundamental del cristal de Silicio se puede representar de cualquiera de estas dos maneras..... Si Celda fundamental del cristal de Silicio

18 Semiconductores: SilicioEstructura cristalina Enlaces covalentes Átomo de silicio 11/04/2017

19 Un pedazo de este tipo de material estará formado casi en un 100%, por átomos iguales, lo que le da la característica de pureza. Al observar la estructura de este material se pueden apreciar ejes y planos en torno a los cuales se ubican los átomos. Esta es una característica de los cristales..... Átomos de Si

20 El material es químicamente estable por su estructura reticular cristalina debido a sus enlaces covalentes; y además es eléctricamente neutro, ya que no existen cargas eléctricas libres En estas condiciones, un cristal de tal pureza es mal conductor de la corriente eléctrica. Átomos de Si

21 ¿Cómo es entonces que un cristal de silicio puede utilizarse como conductor, o como no conductor en los circuitos electrónicos? La respuesta a esta pregunta se encuentra en los procesos de dopamiento Átomos de Si

22 Semiconductores: SilicioPortadores Sin portadores electrón laguna Cuando un enlace de Si-Si es roto, el electrón asociado es un portador de corriente. Equivalentemente, la excitación de un electrón de la banda de valencia a la banda de conducción crea portadores -> Electrones en la banda de conducción son portadores Remover un electrón de la banda de valencia crea un estado vacío. Este estado vacío, es un segundo tipo de portadores denominado huecos Electrones y huecos son portadores en los semiconductores 11/04/2017

23 Semiconductores: SilicioGeneración de pares electrones-hueco Concentración de electrones intrínseco Concentración de lhuecos Corriente en un semiconductor A elevar la temperatura algunos enlaces covalentes son rotos, y los electrones asociados al enlace son libres de desplazarse bajo la influencia de un campo eléctrico externo. Simultáneamente, la ruptura del enlace, deja una carga positiva neta en la estructura de valencia -> lagunas Movilidad de los electrones Movilidad de los huecos 11/04/2017

24 Semiconductores: SilicioCirculación de corriente en un semiconductor 11/04/2017

25 Silicio con dopaje El agregado de un pequeño porcentaje de átomos foráneos en la estructura cristalina del silicio produce importantes cambios en sus propiedades eléctricas. Material tipo N: Dopantes con valencia +5 son utilizados. 4 electrones de la banda de valencia forman enlaces covalentes con los átomos vecinos de silicio. El electrón restante esta débilmente ligado al átomo de impureza, actuando como un electrón libre. Impurezas donoras: donan un electrón a la banda de conducción. Fósforo, arsénico, antimonio 11/04/2017

26 Silicio – Tipo N Conductividad Concentración de átomos donores11/04/2017

27 Silicio – Tipo P TIPO P Dopantes con valencia +3 son empleados: Boro, Galio, Indio. Para completar el enlace covalente con átomos de silicio, un electrón es atraído de la banda de valencia dejando un hueco. impureza aceptora: acepta un electrón de la banda de valencia 11/04/2017

28 Semiconductores Terminología Semiconductor intrínseco: Donor: Aceptorsemiconductor sin el agregado de impurezas Donor: Átomos de impurezas que incrementan la concentración de electrones Aceptor Átomos de impurezas que incrementan la concentración de huecos Portadores mayoritarios: Los portadores mas abundantes en un semiconductor. Electrones en material tipo N y huecos en material tipo P. Portadores minoritarios: Los portadores menos abundantes en un semiconductor. Electrones en material tipo P y huecos en material tipo N 11/04/2017

29 UNIÓN PN Juntamos dos materiales de manera abrupta Difusión

30 UNIÓN PN Lo más importante es la formación de la zona de agotamiento

31 Juntura P-N en equilibrioUn diodo de juntura consiste de un material Semiconductor tipo P en contacto con un material N. Consideraciones Region P – N_A atomos aceptores Region N – N_D atomos donores N_D>N_A No existe potencial externo aplicado Región N: Los electrones cercanos a la juntura se difunden desde la región con alta concentración de electrones (región N) a la región con baja concentración de electrones (region P). Región P: Los huecos se difunden hacia la región N. Electrones Huecos 11/04/2017

32 Juntura PN – polarización directaAl ser polarizada directamente la juntura PN, el potencial de juntura disminuye. Los electrones se difunden hacia la región P y los huecos hacia la región N La corriente de difusión es la dominante Corriente de difusión Corriente de desplazamiento 11/04/2017

33 Juntura PN – polarización inversaLa barrera de potencial aumenta. El campo electrico se intensifica. La capa de depleción se ensancha. La corriente de difusión se hace cercana a cero Corriente de difusión Corriente de desplazamiento 11/04/2017

34 Juntura PN EQUILIBRIO Polarización directa Polarización inversa11/04/2017

35 El diodo La corriente de huecos y la corriente de electrones son asumidas como corrientes de difusión. Corriente de saturación inversa : es función del área de juntura, de las constantes de difusión, concentración de equilibrio y longitud de difusión de los portadores minoritarios Tensión de ruptura inversa 11/04/2017

36 - El diodo como elemento + D IEl símbolo utilizado para su representación en diagramas de circuitos es una punta de flecha, dirigida en el sentido convencional de la corriente. ánodo D cátodo - + I Sentido convencional de la corriente

37 El diodo – Zona de rupturaSi un voltaje negativo suficientemente elevado es aplicado, la juntura PN experimentara una rápida avalancha y conducirá en la dirección inversa. Los electrones de valencia que son liberados bajo la influencia del campo eléctrico aplicado, son acelerados colisionando con otros electrones creando una avalancha. En esta región, pequeños cambios en el voltaje aplicado pueden causar grandes variaciones de corriente. 11/04/2017

38 El diodo – AplicacionesRectificadores Reguladores Circuitos de enclavamiento Circuitos lógicos LEDs, fotodiodos 11/04/2017

39 Rectificadores Rectificador de media ondaRectificador de onda completa 11/04/2017

40 Rectificadores Rectificador de onda completa 11/04/2017

41 Rectificadores con filtro RC11/04/2017

42 Rectificadores con filtro RCRizado en filtros RC (ripple) 11/04/2017

43 Rectificadores Ejemplo: Cargador de batería 11/04/2017

44 Reguladores 11/04/2017

45 Recortadores 11/04/2017

46 Circuitos lógicos con diodos11/04/2017