1 El Transistor de Unión Bipolar (BJT)Jesús Pizarro Peláez I.E.S. Trinidad Arroyo Dpto. de Electrónica

2 BJT (Bipolar Junction Transistor)Dispositivo electrónico formado por dos uniones PN. Tres zonas de dopado: Emisor: zona muy dopada. Base: zona estrecha y poco dopada. Colector: zona más ancha y con dopaje intermedio.

3 Transistores PNP y NPN TRANSISTOR ESTRUCTURA EQUIVALENTE SÍMBOLO NPN

4 FUNCIONAMIENTO El diodo emisor se polariza en directaEl diodo colector en inversa

5 FUNCIONAMIENTO Base y Emisor son una unión PN polarizada en directa.Sí Vee > 0V los e- del emisor se acercan a la barrera.

6 FUNCIONAMIENTO Cuando Vee > Vu (0.6V - 0.7V) el diodo conduce.Aparece una corriente entre base y emisor. Como la base está poco dopada, la corriente es pequeña.

7 FUNCIONAMIENTO Si Vcc>0 el diodo de colector está en inversa.Los e- del emisor son atraídos por el colector. Base muy estrecha => los e- pueden atravesar la barrera y pasar al colector. Colector mas dopado que base => la gran mayoría de e- pasan al colector y unos pocos a la base.

8 FUNCIONAMIENTO  : Característica de cada transistorIB  : Característica de cada transistor  - Porcentaje de e- que pasan a C (0 – 1)  - Muy elevado ( )

9 FUNCIONAMIENTO  : Ganancia. Característica de cada transistorIB  : Ganancia. Característica de cada transistor Relación entre IB e IC (0 - )

10 FUNCIONAMIENTO En resumen:IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB

11 FUNCIONAMIENTO En resumen:IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB

12 FUNCIONAMIENTO En resumen:IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB

13 FUNCIONAMIENTO En resumen:IC IB En resumen: Podemos variar el paso de una gran corriente IC controlando una pequeña corriente IB