1 Lasery półprzewodnikowe kontra lasery argonowe.Aneta Antczak Iwona Wieczorek

2 Laser argonowy Gazowo-jonowyMożliwość pracy w krótkofalowym zakresie widma Generacja kilku linii widmowych Duże wzmocnienie (szczególnie dla linii: 488,514.5 i nm) Parametry rury wyładowczej: Prąd wyładowania łukowego (do 60A) Napięcie rzędu V

3 Zastosowanie: Wady: badanie zjawisk rozpraszania światłapompowanie laserów barwnikowych holografia medycyna (okulistyka, mikroskopia) Wady: trudności z technologią wykonania rury wyładowczej duża moc wejściowa (od kilowata do kilu kilowatów)

4 Laser półprzewodnikowyZalety: małe wymiary – średnie wymiary pojedynczego emitera wynoszą 1x10x10 μm3; największa sprawności generacji dochodzącej do 70% (lasery gazowe ≈ 0,1%, lasery ciała stałego ≈ 1%, lasery molekularne CO2 ≈ 30%); prostoty zasilania ( ), gdzie: U- napięcie stałe źródła zasilania, hυ-energia; możliwości budowy wieloelementowych macierzy emiterów (zasadnicza metoda powiększania mocy lub energii wyjściowej)

5 Wady: asymetria wiązki (kąty rozbieżności wiązki w laserach krawędziowych w płaszczyznach równoległych i prostopadłych nie są jednakowe) stosunkowo silna zależność generowanej długości fali od temperatury

6 Budowa lasera półprzewodnikowegoSapphire – optycznie pompowany laser półprzewodnikowy.

7 Schematyczny przekrój poprzeczny lasera półprzewodnikowego

8 „Photonics spectra” (September 2003)Źródła „Photonics spectra” (September 2003) E.Brunner, W.Radloff „Elektronika kwantowa”