1 Pamięć DRAM

2 DRAM Pamięć dynamiczna, DRAM (ang. Dynamic Random Access Memory) – rodzaj ulotnej pamięci półprzewodnikowej RAM, która przechowuje każdy bit danych w oddzielnym kondensatorze wewnątrz układu scalonego. Poszczególne jej elementy zbudowane są z tranzystorów MOS, z których jeden pełni funkcję kondensatora, a drugi elementu separującego. W przeciwieństwie do pamięci statycznych wymagają okresowego odświeżania zawartości (ze względu na rozładowywanie się kondensatorów). Jednocześnie pojedyncza komórka pamięci dynamicznej składa się z mniejszej liczby elementów niż analogiczna komórka pamięci statycznej. Powyższe cechy pozwalają na większe upakowanie elementów w układach scalonych, co daje efekt w postaci niższych kosztów produkcji i pozwala na budowę tańszych układów pamięci o danych pojemnościach. Odświeżanie musi następować w regularnych odstępach czasu i wewnętrznie polega na ponownym zapisie odczytanej wartości w tych samych komórkach pamięci. Pamięci dynamiczne najczęściej łączone są w dwuwymiarowe tablice adresowane numerem wiersza i kolumny, co pozwala ograniczyć liczbę wymaganych linii adresowych i przyspiesza sekwencyjny odczyt danych umieszczonych w kolejnych komórkach tego samego wiersza pamięci. Pamięci dynamiczne są obecnie szeroko wykorzystywane jako pamięć operacyjna w urządzeniach, z wyjątkiem układów wymagających niezbyt dużych ilości pamięci (np. sterowniki) oraz wymagających szybkiego dostępu do pamięci (np. specjalizowany sprzęt sieciowy).

3 Komórka SRAM

4 Wyprowadzenia Wyznaczenie max liczby komórek pamięci L Adresm – liczba bitów magistrali adresowej Dane Wyznaczenie pojemności pamięci OE WE m – liczba bitów magistrali adresowej n – liczba bitów magistrali danych CE RAS CAS OE – odczyt danej WE – zapis danej CE – aktywacja układu RAS – aktywacja wiersza CAS – aktywacja kolumny Linie OE, WE, CE, RAS i CAS są 1-bitowe. Adres i Dane to magistrale wielobitowe

5 Adresowanie DRAM

6 Cykl odczytu tC – czas cyklu odczytutD RAS-CAS – czas opóźnienia sgnału CAS względem RAS ta – czas dostępu do pamięci tPD – czas odstępu pomiędzy kolejnymi cyklami odczytu

7 Cykl zapisu

8 Organizacja pamięci

9 DRAM 8b

10 DRAM

11 Tryb dostępu do pamięci Page ModePolega na oddzielnym adresowaniu za każdym razem wiersza i kolumny. Jest to najstarszy tryb dostępu. Starsza część adresu to wiersz a młodsza część adresu to kolumna

12 Tryb dostępu do pamięci Page Mode

13 Tryb dostępu do pamięci Page Mode

14 Tryb dostępu do pamięci Fast Page ModePolega na stałym utrzymaniu adresu wiersza. Tylko zmianie ulega adres kolumny.

15 Tryb dostępu do pamięci Fast Page Mode

16 Tryb dostępu do pamięci Fast Page Mode

17 Tryb dostępu do pamięci EDO (z ang. Extended Data Out)

18 Odświeżanie Odświeżanie komórek pamięci DRAM polega na cyklicznym doładowaniu pojemności pamiętających przechowujących wartość 1. Częstotliwość odświeżania jest parametrem katalogowym pamięci i należy go bezwzględnie przestrzegać.

19 Odświeżanie Sposoby odświeżania: Sygnałem RAS CAS przed RASOdświeżanie ukryte Samoodświeżanie