1 TRANSPORT REAGENTÓW PRZEZ ZWARTĄ WARSTWĘ ZGORZELINY

2 BADANIE UDZIAŁU POSZCZEGÓLNYCH REAGENTÓW W PROCESIE TRANSPORTU MATERII PRZEZ ZGORZELINĘ Metoda markerów Metoda dwustopniowego utleniania Badania współczynników dyfuzji własnej Metoda rysy Metoda pastylkowa

3 Schemat klasycznego doświadczenia Pfeila (1929)Powietrze Powietrze Zgorzelina SiO2 SiO2 Fe Fe

4 Proces powstawania zgorzelin w/g Tamann’a (1920)Metal Utleniacz Zgorzelina

5 Klasyczny eksperyment markerowy Pfeila (1929)H. Engell, F. Wever, Acta Met. 5, (1957)

6 Metoda markerów – interpretacja wynikówUtleniacz Metal Marker Utleniacz Utleniacz Utleniacz Marker * * Zgorzelina Zgorzelina Zgorzelina Marker Marker * * Metal Metal Metal * Miejsce zachodzenia reakcji:

7 Metoda markerów – interpretacja wynikówUtleniacz Metal Marker Zakres wysokich temperatur Me1-yX X2 Me Marker MeX1-y Me1±yX1±z Me1+yX MeX1+y

8 Warunki poprawnego przebiegu eksperymentu markerowegopowierzchnia badanego metalu lub stopu jest gładka marker nie reaguje z podłożem metalicznym, utleniaczem oraz z substancjami wchodzącymi w skład zgorzeliny przed rozpoczęciem procesu utleniania zachowany jest kontakt pomiędzy markerem, a powierzchnią badanego materiału powstająca zgorzelina jest zwarta, jednofazowa i ściśle przylegająca do rdzenia metalicznego czas utleniania jest tak dobrany, iż grubość zgorzeliny jest o przynajmniej rząd wielkości większa od rozmiaru markera

9 Metody nanoszenia markerów na powierzchnie substratów metalicznychrównomierne rozsypanie ziarn markera (Al2O3, SiO2, itp.) równomierne rozsypanie cienkiego (10 mm) drutu (Pt, Au) o długości ok. 1 mm przyspawanie cienkiego drutu stanowiącego marker naparowanie markera (Pt, Au) poprzez odpowiednie siatki (Cu – SEM; Al) elektrolityczne nanoszenie warstwy markera rozkład soli metalu szlachetnego, umieszczonej na powierzchni próbki fotolityczne pokrycie powierzchni próbki rozcieńczoną pastą platynową

10 METODA MARKERÓW Drut będący markerem jest mocno obwiązany wokół metaluMarkery Markery Me Me MeX MeX

11 METODA MARKERÓW Marker nie przylega do rdzenia metalicznego MeX Me

12 Metoda markerów - mechanizm podcinaniaUtleniacz Utleniacz Utleniacz Utleniacz Zgorzelina Zgorzelina Zgorzelina Metal Metal Metal Metal Marker

13 Przekrój zgorzeliny siarczkowej na CoT = 700 oC, p(S2) = 10-2 Pa Z. Grzesik, "Własności transportowe zgorzelin siarczkowych powstających w procesie wysokotemperaturowej korozji metali", Ceramika, 87, (2005).

14 Przekrój zgorzeliny siarczkowej na CoT = 860 oC, p(S2) = 10-1 Pa Z. Grzesik, "Własności transportowe zgorzelin siarczkowych powstających w procesie wysokotemperaturowej korozji metali", Ceramika, 87, (2005).

15 Spektrum RBS (4He - 2 MeV); próbka Nb zamarkowana AuZ. Grzesik, K. Takahiro, S. Yamaguchi, K. Hashimoto and S. Mrowec, "An RBS study of the sulphidation behavior of niobium and Nb-Al alloys", Corrosion Science, 37, (1995).

16 Metoda markerów – MoS2 Marker w postaci naparowanego Au poprzez folię Al – eksperyment poprawny Z. Grzesik, M. Migdalska, S. Mrowec, ”The Influence of Lithium on the Sulphidation Behavior of Molybdenum at High Temperatures”, High Temperature Materials and Processes, 26, (2007).

17 Metoda markerów – MoS2 Marker w postaci naparowanego Au poprzez folię Al – eksperyment źle przeprowadzony

18 Metoda markerów – TaS2 Marker w postaci pasty Pt – eksperyment poprawny

19 Marker

20 S. Mrowec, An Introduction to the Theory of Metal Oxidation, National Bureau of Standards and National Science Foundation, Washington D.C., 1982.

21 Przekrój zgorzeliny siarczkowej na miedzi, otrzymanej w 444 oCzwarta warstwa zgorzeliny marker porowata warstwa zgorzeliny Cu Czas reakcji: 25 s Czas reakcji: 9 min. S. Mrowec, An Introduction to the Theory of Metal Oxidation, National Bureau of Standards and National Science Foundation, Washington D.C., 1982.

22 Metoda markerów w układzie z ceramicznym substratem„klasyczna” interpretacja wyników stężenie defektów punktowych w badanych materiałach, a wynik eksperymentu markerowego zarodki produktu reakcji wewnątrz substratu, a wynik eksperymentu markerowego mikrodefekty fizyczne substratu, a wynik eksperymentu markerowego

23 METODA MARKERÓW – UTLENIANIE TLENKUX2 Markery MeX Dyfuzja X2 Dyfuzja Me Dyfuzja Me i X2 X2 X2 X2 MeX2 MeX2 MeX2 MeX MeX MeX

24 METODA MARKERÓW – UTLENIANIE TLENKUX2 MeaXb MecXd Stosunek grubości zewnętrznej do wewnętrznej części warstwy tlenku MecXd Z. Grzesik, Termodynamika i kinetyka defektów w kryształach jonowych, WN Akapit, Kraków 2011

25 Metody nanoszenia markerów na powierzchnie substratów ceramicznychnaparowanie markera (Pt, Au) poprzez odpowiednie siatki (Cu – SEM; Al) fotolityczne pokrycie powierzchni próbki rozcieńczoną pastą platynową

26 Utlenianie CoO do Co3O4

27 Utlenianie CoO do Co3O4

28 Utlenianie CoO do Co3O4

29 Utlenianie Cu2O do CuO Markery AuM. Migdalska, Z. Grzesik, S. Mrowec, „On the mechanism of Cu2O oxidation at high temperatures”, Defect and Diffusion Forum, , (2009).

30 Utlenianie Cu2O do CuO

31 Siarkowanie NiS do NiS2

32 Siarkowanie NiS do NiS2

33 Siarkowanie NiS do NiS2 Stosunek grubości zewnętrznej do wewnętrznej części warstwy siarczku NiS2 wynosi około 0,82

34 Zależność odstępstwa od stechiometrii w Ni1-yS od ciśnienia par siarkiymax w Ni1-yS ≈ 0,09

35 Siarkowanie NiS do NiS2 Eksperymentalnie wyznaczony stosunek grubości zewnętrznej do wewnętrznej części warstwy siarczku NiS2 wynoszący 0,82, pozostaje w zgodności z wartością teoretyczną, uzyskaną przy założeniu występowania odstępstwa od stechiometrii w Ni1-yS na poziomie 0,91

36 Wpływ parametrów homogenizacji NiS na położenie markerów w początkowym etapie powstawania NiS2 s b a a homogenizacja: 873 K, 10 Pa, 24 h b homogenizacja: 873 K, 200 Pa, 24 h s siarkowanie: 873 K, 1000 Pa, 5 min

37 Położenie markerów po procesie homogenizacji NiS

38 Wpływ parametrów homogenizacji MeX na położenie markerów w początkowym etapie powstawania MeX2

39 Results of marker experiments in the case of MeX homogenization under oxidant pressure lower than the MeX2 dissociation pressure Położenia markerów po procesie homogenizacji MeX przy ciśnieniu utleniacza niższym od prężności dysocjacyjnej MeX2

40 Położenie markerów po procesie siarkowaniaCoS do CoS2 (SEI)

41 Położenie markerów w próbce CoS siarkowanej do CoS2 (BSE)Markery Au

42 Położenie markerów w początkowym etapie powstawania CoS2 na powierzchni siarczku CoS homogenizowanym przy ciśnieniu dysocjacyjnym CoS2 Markery Au produkt substrat

43 Przekrój próbki CoS siarkowanej przy ciśnieniu par siarki umożliwiającym tworzenie się CoS2

44 Wnętrze próbki CoS siarkowanej przy ciśnieniu par siarki umożliwiającym tworzenie się CoS2

45 Przekrój próbki Co pokrytej siarczkiem CoS

46 Początkowy etap powstawania CoS2 w obrębie siarczku CoS

47 Położenie markerów w próbce CoS siarkowanej do CoS2Markery Au

48 Możliwe położenia markerów w układzie CoS-CoS2 w zależności od dominującego kierunku dyfuzji reagentów

49 Schemat położenia markerów w próbce CoSsiarkowanej do CoS2

50 Schemat położenia markerów w próbce CoSsiarkowanej do CoS2

51 Wnętrze próbki NiS siarkowanej przy ciśnieniu par siarki umożliwiającym tworzenie się NiS2

52 Wnętrze próbki NiS siarkowanej przy ciśnieniu par siarki umożliwiającym tworzenie się NiS2 NiS2 NiS 20 mm

53 Przekrój próbki CoO pokrytej tlenkiem Co3O4

54 Położenie markerów w tlenku Co3O4 narastającym na CoOmarkery Au Co3O4 CoO

55 Powierzchnia CoO powstała w wyniku utleniania Co w temperaturze 900 C i przy ciśnieniu tlenu1000 Pa

56 Powierzchnia NiS powstała w wyniku siarkowania Ni w temperaturze 700 C i przy ciśnieniu siarki 1000 Pa

57 Powierzchnia CoS powstała w wyniku siarkowania Co w temperaturze 700 C i przy ciśnieniu siarki 1000 Pa

58 Położenie markerów na rozwiniętej powierzchni CoS

59 Położenie markerów podczas utleniania porowatego substratu

60 PODSUMOWANIE Uzyskanie racjonalnych wyników podczas badań typu dominującego zdefektowania metodą markerów w układach ceramicznych, a w szczególności w układach porowatych, jest znacznie trudniejszym zadaniem niż w układach metal-utleniacz. Do interpretacji wyników konieczna jest dokładna analiza lokalizacji powstającego produktu reakcji w substracie. W przypadku substratów ceramicznych charakteryzujących się dużym stężeniem defektów punktowych, przed procesem „markowania” powinny być one homogenizowane przy maksymalnym ciśnieniu utleniacza, przy którym związek chemiczny tworzący substrat pozostaje stabilny. Należy podkreślić, że w przypadku związków o dużym odstępstwie od stechiometrii, fakt ten powinien być uwzględniany przy pisaniu odpowiednich reakcji chemicznych, w oparciu o które przewiduje się położenie markerów wewnątrz produktu reakcji.

61 METODA DWUSTOPNIOWEGO UTLENIANIAODRDZENIOWA SIECIOWA DYFUZJA METALU Przypadek idealny (brak mieszania się atomów X i *X) Przypadek rzeczywisty (mieszanie się atomów X i *X) Me MeX Me MeX C(*X) C(*X) C(*X) – stężenie izotopu (trasera) utleniacza

62 METODA DWUSTOPNIOWEGO UTLENIANIADORDZENIOWA DYFUZJA UTLENIACZA PO GRANICACH ZIARN Przypadek idealny (brak mieszania się atomów X i *X) Przypadek rzeczywisty (mieszanie się atomów X i *X) Me MeX Me MeX C(*X) C(*X) C(*X) – stężenie izotopu (trasera) utleniacza

63 METODA DWUSTOPNIOWEGO UTLENIANIARÓWNOCZESNA DYFUZJA OBU REAGENTÓW Powolne mieszanie się atomów X i *X Szybkie mieszanie się atomów X i *X Me MeX Me MeX C(*X) C(*X) C(*X) – stężenie izotopu (trasera) utleniacza

64 Profile stężenia Cu, O16 i O18 wewnątrz próbki, otrzymanej podczas utleniania Cu2O w 1273 K przy ciśnieniu tlenu 105 Pa M. Migdalska, Z. Grzesik, S. Mrowec, „On the mechanism of Cu2O oxidation at high temperatures”, Defect and Diffusion Forum, , (2009).

65 BADANIE WSPÓŁCZYNNIKÓW DYFUZJI WŁASNEJRozkład stężenia trasera, wprowadzonego do przypowierzchniowej warstwy kryształu MeX (dyfuzja sieciowa) c ln c x x2 c – stężenie trasera w odległości x od powierzchni kryształu, c0 – stężenie trasera na powierzchni przed rozpoczęciem wygrzewania, t – czas wygrzewania D – współczynnik dyfuzji własnej (trasera)

66 BADANIE WSPÓŁCZYNNIKÓW DYFUZJI WŁASNEJRozkład stężenia trasera, wprowadzonego do przypowierzchniowej warstwy kryształu MeX (dyfuzja międzyziarnowa) c ln c x x c – stężenie trasera w odległości x od powierzchni kryształu, t – czas wygrzewania DV – współczynnik dyfuzji sieciowej Dg – współczynnik dyfuzji międzyziarnowej

67 BADANIE WSPÓŁCZYNNIKÓW DYFUZJI WŁASNEJRozkład stężenia trasera w krysztale MeX, gdy stężenie trasera na powierzchni kryształu jest stałe (dyfuzja sieciowa) c x c – stężenie trasera w odległości x od powierzchni kryształu, c0 – stężenie trasera na powierzchni przed rozpoczęciem wygrzewania, t – czas wygrzewania D – współczynnik dyfuzji własnej (trasera)

68 METODA RYSY Dyfuzja dordzeniowa Dyfuzja odrdzeniowa Dyfuzja wzajemna

69 METODA PASTYLKOWA WAGNERAH. Rickert, Z. Phys. Chem. Neue Folge, 23, 356 (1960)

70 S. Mrowec, An Introduction to the Theory of Metal Oxidation, National Bureau of Standards and National Science Foundation, Washington D.C., 1982.

71 MECHANIZM POWSTAWANIA KOMPOZYTÓW W/ZrCstop Zr-Cu ZrC W WC 5 mm temperatura: 1400 o C czas: 1,5 h Z. Grzesik, M. B. Dickerson, K. Sandhage, "Incongruent reduction of tungsten carbide by a zirconium-copper melt", Journal of Materials Research, 18, (2003).

72 KONIEC