1 Tranzystory FET

2 Tranzystory unipolarnenormalnie załączone normalnie wyłączone S – źródło elektroda z której wypływają nośniki ładunku do kanału D – dren elektroda do której dochodzą nośniki ładunku z kanału G – bramka elektroda sterująca B – podłoże Tranzystory MOSFET mają często wyprowadzoną czwartą końcówkę B podłączoną do podłoża . Elektroda ma podobne działanie jak bramka i jest izolowana od kanału warstwą zaporową. Jednak na ogół nie wykorzystuje się jej właściwości i jest ona łączona ze źródłem.

3 Tranzystory unipolarne - zasada działaniaEG = - UGS = 0V, VG = VS = 0V, Kanał n – otwarty, gdy ED>0V między DRENEM a ŹRÓDŁEM płynie największy ID (o takim tranzystorze mówimy, że jest normalnie załączony) EG = - UGS > 0V, VG < VS Kanał n – dalej otwarty, gdy ED>0V między DRENEM a ŻRÓDŁEM płynie ID EG = - UGSgr, VG < VS Kanał n – zamknięty, gdy ED>0V między DRENEM a ŻRÓDŁEM nie płynie ID

4 Tranzystory unipolarneKONFIGURACJE PRACY TRANZYSTORA WS WD WG POLARYZACJA TRANZYSTORA kanał n kanał p

5 Tranzystory unipolarneCHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA kanał n ID = f(UGS) WEJŚCIOWA (PRZEJŚCIOWA) Up – napięcie odcięcia kanału UGS > Up : Q Nachylenie charakterystyki: Tranzystory normalnie załączone: ID = IDSS gdy UGS = 0V Tranzystory normalnie wyłączone: ID = IDSS gdy UGS = 2Up

6 Tranzystory unipolarne2. ID = f(UDS) dla UGS = const WYJŚCIOWA Uk = UGS – Up Uk = |Up| przy: ID = IDSS

7 Wzmacniacz WS

8 Wzmacniacz WS

9 Wzmacniacz WD – wtórnik źródłowy